Сообщений в теме: 1998

[Nekvadrat]

BluZeMen (06 Август 2010 - 18:06) писал:

Думаю мой материал и к этой теме подойдёт
Вот мой пост

...ну и чем схема отличается от качера?

[BluZeMen]

Nekvadrat (06 Август 2010 - 18:21) писал:

...ну и чем схема отличается от качера?

Ничем, кроме пары резисторов. Правда тут у меня особый трансформатор.

[Falconspb]

Коллеги!
Объясните новичку почему всё валится в общуюю кучу. И качер, и катушки Тесла, и преобразование вида энергии (энергий).
Может, обманчивая простота схемы качера и конструкции его катушек?
Правда (вижу по форуму), конструкции катушек всё усложняются, а эффекты плохо прогнозируются.
Мне кажется надо разделить собственно качер (который задумывался как универсальный датчик) и катушку Тесла.
Тогда, стандартными средствами электроники можно сделать аналог разрядника с магнитом Теслы, у которого под руками не было ни ламп, ни транзисторов. Он и вынужден был придумать устройство для быстрого обрыва цепи катушки.
Если сейчас можно на цифровой логике быстро и просто собрать задающий генератор и подавать его импульсы на одновибратор
с заданной длительностью импульса на выходе и далее, на базу мощного и высоковольтного транзистора (например из блоков электронного зажигания). Для ускорения включения/выключения можно выбрать ненасыщающийся каскад и даже принудительное запирание. Тогда основные силы и пойдут на исследование процессов, связанных с катушкой, а не угадыванием частот качера. Повторяю, качер это универсальный датчик, а не хороший формирователь. Ни в коей мере не умаляю его (качера) достоинств, но там слишком много плохо учитываемых связей.

[Papuas]

Falconspb (08 Август 2010 - 00:16) писал:

Объясните новичку почему всё валится в общуюю кучу. И качер, и катушки Тесла, и преобразование вида энергии (энергий).
Может, обманчивая простота схемы качера и конструкции его катушек?

Разряды в газах имеют достаточно сложную ВАХ, как и лавинный пробой в полупроводниках. Дуговой разряд, как и транзистор "качера" имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением в каждой полярности включения. Это и используют для раскачки катушек на резонансы.
ВАХ дуги: http://www.lib.tusur.ru/fulltext/analitika/conf/2008_semenov_270808.pdf
В первом приближении эмулируется тиристорами с стабилитронами. От этого большинство схем с "СЕ" и неточными замерами собраны на тиристорах.

[Falconspb]

Падающая хар-ка есть и у туннельных диодов. По крайней мере она измерена и обладает повторяемостью. Т.е не надо гадать о положении рабочей точки. К сожалению сейчас лишён возможности промакетировать обычный каскад с катушкой, управляемый от короткого импульса. Если у кого-то есть возможность в работающем макете отключить качер дать на вход транзистора импульсы с крутыми фронтами, то по выходу катушки можно судить о разнице в работе.

[брутто ленин]

Вынужден заметить что сегодня ,как и во времена Теслы разрядник является лучшим формурователем импульса

единственно чего коснулась модернизация так это в том что разрядник помещают в однородный газ да ещё под давлением,

но длительность импульса такая же как и во времена Тесла!За сто с небольшим лет наука совсем нукуда не продвинулась.

Теоретическое обоснование (см.Ацюковский) работы трансформатора Теслы появилось только через 100 лет и то на основе эфира (взгляды Тесла как и Максвелла ,основателя электрических наук опирались на представления об эфре)

falconspb в 2 поте предлагает что то интересное но не понятное просьба развить мысль популярнее

[otv]

 Господа, да всё ведь давно было сказано, из того, что реально необходимо. Именно: для понимания физики работы качера и выхода на СЕ, как предмет практического интереса. На самом деле, вне зависимости от конструкции, важнейшим объектом интереса является максимальная удельная напряжённость полей в точке. Именно та, при которой мерность (по Левашову) в данной точке пространства превышает предельную для этой смеси ортогоналей, всвязи с чем запускается обменный процесс в этой самой точке. Вот и всё. Осталось только связать формулами то, что численно дано Левашовым для нашего пространства, со всем тем, что у него описано в книгах. Если не читаете Левашова, то - сорри, озаботесь уж тогда сами предложить подходящую к случаю модель физики. А по мне - это мартышкин труд. Постараюсь и объяснить, почему так. Что такое для нас СЕ, как потребителей? В первую очередь, поток электричества. Пусть избыток электронов. Тогда, отводя избыток через нагрузку в Землю, мы имеем для себя ватты. Но велика ли Земля, как ёмкость? Со времён школьной физики помним, что это не совсем так. Значит, однополярность уже не катит - емкость быстро зарядится, и поток ватт оборвётся. Выход: избыток электронов в одном месте, и их недостаток в другом. Тогда цепь может быть постоянно замкнутой для нашей нагрузки. Это и может дать физика обмена для нашего наблюдаемого эвклидового пространства и ненаблюдаемого глазом обменного процесса для иных ортогоналей, размещённых в тех же самых х, у, z нашего пространства и неких количеств в нужных ортогоналях по Левашову. И заметим: нас ведь нисколько не заботит то, что в этих самых  х, у, z нашего пространства существуют и магнитные, и электрические компоненты, тоже не видимые глазом в самом общем случае, кроме диапазона частот видимого излучения, или ощутимого, как поток тепла. Всё остальное мы воспринимаем чисто приборно. И вполне счастливы. Будут другие приборы, и столь же невозмутимо будем использовать иные источники. Ибо для нашей практики главное - запустить процесс обмена в этих самых  х, у, z нашего пространства. И, что обязательно - симметричного обмена! Биполярного, иным словами. Для компактности и технической простоты. На манер того же TPU. Просто ищем всегда сразу пару: сток - исток. Пока же большая зацикленность наблюдалась на однополярности. А это ведёт к раздуванию нашего пространства лишней материей, и тем интенсивнее, чем больше мы СЕ потребляем. Возможно, при колебательных процессах обмена при нарушении границы мерности, точка обмена будет геометрически одна и та же. Мы просто будем готовы подсунуть туда вместо плюса - минус. Или иметь для постоянного тока одновременно пару этих точек. Первое кажется проще. Но второе - привлекательней отсутствием взаимных резонансов: наших и тамошних. Со времён Теслы понимали, что обмен запускается по фронтам импульсов. Как можно более коротким. Что говорит о необходимости рассматривать только динамические параметры, а не статические. Важно только одно: соотношение приращений. Производная, которая стремится к бесконечности, и пересекая границу прочности нашего пространства, запускает механизм обмена. Который уже рассмотрен господином Левашовым в достаточных для нас подробностях. Но обмен должен быть чередующимся, или точек должно быть сразу две. И разного знака. А вот технически реализуемых конструкций - тех может быть целое море. 

[DDR]

SOS диоды решат все наши проблемы!
Шучу конечно.. Но наносекундный импульс с четко заданными параметрами можно получить от этой штуковины..
Если у кого есть такие, просьба выложить фото такого диода...чтоб понять с чем иметь дело

[vollov akustik]

DDR (09 Август 2010 - 10:04) писал:

SOS диоды решат все наши проблемы!

Ну тогда и по Титронам кто нить откликнитесь, кто смог добыть и запрячь эти пролетные пентоды?
Дюже интересно добраться до импульсов амплитудкой хоть в полкило или кило и периодом пониже раз в 10 от собственной частоты ВВ ----------------> микросек так в 20-50.
Чессно говоря созрела ситуация для таких запросов, замираю в глубоком пардоне перед мастерами такой ПРИКЛАДНОЙ СХЕМОТЕХНИКИ.

[брутто ленин]

Возбудили воображение SOS диодами - лезу в гугл прямиком к изобретателям

http://www.iep.uran.ru/naudep/imp/napr/nap_20.html и вижу прежний цирк и клоуны теже

Г.А.Месяц и уральская академия наук о его книге я отзывался ,а здесь продукт века SOS диод   ни у кого нет, а у них есть

Только выглядит это чудо как-то слесарно (похоже напотрофили КД213 со старых запасов),выточили шпилек ,несколько гаек и готово. И график интересен понять бы ещё ,что там обозначает 10ns/div?... ну очеь умные люди!!!

[otv]

что там обозначает 10ns/div? - 10 наносекеунд на деление.

[AdAn]

Может кто подскажет формулу Емкости катушки?

[otv]

Смотри хотя бы на:  http://www.qrz.ru/reference/other/ind/  (2.3.3. Индуктивность и собственная емкость катушек индуктивности)

Все вразумительные пояснения сводятся примерно следующему пассажу: "Собственная емкость катушки складывается из емкости между витками и слоями, а также из емкости отдельных витков по отношению к шасси или экрану. Значение собственной емкости от вида намотки и числа витков. Однослойные шаговые катушки имеют емкость 0,5 – 1,5 пФ, однослойные сплошные – 3 – 5 пФ, типа «универсаль» – 5 – 9 пФ и многослойные рядовые – 20 – 30 пФ."

Хотя самое простое для практики - иметь спектроанализатор (свип-генератор, но он и так входит в состав анализатора), запитанный от генератора белого шума, и смотришь на выходе резонанс конкретной катушки. Так что и ёмкость эту вычислять нечего. Ну, есть желание, то по известной формуле Томсона в Экселе вычисляй ёмкость. Точнее уж некуда. И преимущество огромное: в реальной схеме обмерить можно, при отключении только шунтирующих цепей.

[vollov akustik]

DDR (09 Август 2010 - 10:04) писал:

SOS диоды решат все наши проблемы!
Шучу конечно..

Sos диод оказывается прибор РАЗМЫКАЮЩИЙ антипод разряднику.
Поэтому для ТТ он нам не пойдеть.

Цитата

Введение к работе:


Мощная наносекундная импульсная техника на сегодняшний день имеет две основные тенденции своего развития. Одна из них заключается в проведении различных исследовательских программ в таких областях, как ускорительная техника, лазерная техника, мощная СВЧ-электроника, управляемый термоядерный синтез и т.д. Здесь основные усилия сосредоточены на получении рекордно высоких параметров по выходной мощности, и это приводит к разработке и созданию импульсных источников энергии с максимально высокими величинами напряжения и тока. Это установки, представляющие собой уникальные сооружения, как правило, не особо критичны к таким требованиям, как высокая средняя мощность, частота следования импульсов, компактность и срок службы.

Другая тенденция, получившая наиболее интенсивное развитие в последние 10-15 лет, связана с технологическим применением мощных наносекундных импульсов. Разрабатываются новые перспективные технологии для решения экологических задач по очистке выбросов электрических и тепловых станций, удалению токсичных примесей из воздуха, обработке отходов медицины и вредных производств, очистке питьевой воды, стерилизации различной продукции, в том числе и продуктов питания. Также активно идет создание новых радиационных и радиолокационных технологий. Для разработки такого рода технологических устройств также требуются импульсные источники энергии, наиболее важными характеристиками которых являются высокая частота повторения импульсов и средняя мощность, компактность и надежность в сочетании с ресурсом непрерывной работы в несколько лет.

Основой наносекундной импульсной техники в обоих направлениях являются генераторы мощных импульсов тока и напряжения, энергия которых используется либо непосредственно, либо переводится в энергию соответствующих видов излучения. Наиболее распространенные принципы генерирования мощных наносекундных импульсов электрической энергии подразделяются на два основных направления, отличающиеся друг от дру-

га видом запасаемой энергии и способом передачи энергии в нагрузку. В первом случае происходит накопление энергии электрического поля в высоковольтных емкостных накопителях, таких как низкоиндуктивные конденсаторы и формирующие линии, а затем передача энергии в нагрузку через замыкающие устройства - сильноточные наносекундные коммутаторы [1,2]. Во втором случае происходит накопление энергии в магнитном поле индуктивного контура с током. Последующая передача энергии в нагрузку происходит посредством размыкающих устройств - прерывателей тока [3,4].

В емкостных накопителях предельная плотность запасаемой энергии определяется электрической прочностью диэлектрика и его диэлектрической проницаемостью. В современных импульсных конденсаторах электрическое поле, длительно выдерживаемое диэлектриком, достигает значений порядка 106 В/см. При этом плотность энергии составляет около 102 Дж/дм3. Повышение электрической прочности диэлектриков при импульсной зарядке конденсаторов позволяет примерно на порядок увеличить это значение. Плотность запасаемой энергии в индуктивных накопителях определяется предельно допустимыми магнитными полями, которые ограничены механической прочностью материалов индуктивных накопителей. При этом плотность магнитной энергии может достигать величины 105 Дж/дм3. В отношении запасаемой энергии очевидно преимущество индуктивных накопителей энергии по сравнению с емкостными. Но на пути практического использования индуктивных накопителей в мощных импульсных устройствах возникают два серьезных препятствия. Одно из них заключается в том, что постоянная времени саморазряда в системах индуктивного накопления энергии намного меньше этого параметра для емкостного накопителей. Это означает, что индуктивные накопители должны заряжаться гораздо быстрее, откуда вытекает необходимость в более мощных зарядных источниках энергии. Другое препятствие заключается в решении еще более трудной технической проблемы - создании быстродействующего сильноточного размыкателя.

В емкостных накопителях конденсатор разряжается на нагрузку через замыкающий коммутатор, который часто выполняется в виде искрового промежутка. Ток разряда намного превышает зарядный ток, и поэтому емкостную разрядную цепь можно рассматривать как усилитель тока. В индуктивных накопителях передача энергии в нагрузку, запасенной в катушке индуктивности, осуществляется посредством размыкателя, как правило, установленного параллельно цепи нагрузки. Ток в цепи размыкателя падает и переключается в нагрузку. Одновременно из-за уменьшения тока на размыкателе на нагрузке развивается высокое напряжение, пропорциональное величине L(dl/dt). По этой причине индуктивную разрядную цепь можно рассматривать как усилитель напряжения. Развивающееся на катушке и нагрузке напряжение прикладывается и к размыкателю. Таким образом, создание систем индуктивного накопления энергии требует решения двух серьезных технических проблем - построения мощной зарядной цепи и разработки быстро восстанавливающегося размыкателя, способного выдерживать высокое напряжение и пропускать через себя большие токи в проводящем состоянии. Сверхмощные размыкатели тока наносе-кундного диапазона, выдерживающие напряжения мегавольтного уровня и отключающие токи порядка десятков и сотен килоампер за десятки наносекунд, такие как плазменные прерыватели тока [5, 6] и прерыватели тока на основе электрического взрыва проводников [6, 7, 8], обладают рядом существенных недостатков. Основными из них можно назвать малый срок службы из-за эрозии электродов у первых и невозможность работы в частотном режиме из-за изменения проводящей среды размыкателя необратимым образом у вторых.

Разработка и исследование новых типов размыкателей тока, свободных от указанных недостатков и способных выйти на уровень технологических применений, вьщвигает еще одно требование - длительный срок службы. В этом направлении наиболее перспективным являются схемы с индуктивными накопителями энергии и твердотельными прерывателями тока, на основе которых возможна разработка мощных импульсных устройств

с высокими удельными характеристиками и практически неограниченным (твердотельным) ресурсом. Здесь основная проблема заключается в создании мощного твердотельного частотного размыкателя тока.

Известные физические принципы быстрого отключения тока в твердом теле основаны либо на создании высокой проводимости в собственном полупроводнике под действием лазерного излучения или электронного пучка с последующим быстрым отключением источника ионизации [10, 11], либо на токовой инжекции заряда в базу р - п - п структуры с последующим выводом накопленного заряда обратным током [12-15].

В работе [10] рассмотрен вопрос о возможности создания мощных полупроводниковых коммутаторов на основе облучения кристаллов арсенида галлия пучком электронов. Для этих целей в экспериментах использовался электронный ускоритель с энергией электронов 100 - 150 кэВ. При плотности тока электронного пучка 36 мА/см2 была достигнута плотность коммутируемого тока в кристалле 53 А/см2. Показано, что такие коммутаторы могут обрывать ток с характерным временем рекомбинации носителей порядка нескольких наносекунд.

В работе [11] в качестве твердотельного размыкателя тока исследовался образец из кристалла арсенида галлия, легированного кремнием и компенсированного медью. В качестве источника ионизации использовался лазер. При облучении кристалла первым лазерным импульсом с длиной волны Х=1,06мкм происходит переход кристалла в проводящее состояние, что дает возможность пропустить через кристалл ток накачки индуктивного накопителя энергии. При облучении кристалла вторым лазерным импульсом с 1=1,7 мкм происходит высвобождение дырок из глубоких центров атомов меди. Рекомбинация избыточных электронов и дырок с характерным для арсенида галлия временем порядка 1 не приводит к переключению тока индуктивного накопителя из кристалла в нагрузку. На 200-омной нагрузке в работе были получены импульсы с напряжением 6,2 кВ длительностью 20 не при обрыве тока величиной 100 А за время 5 не. Очевидные техни-

ческие сложности первого метода, связанные с необходимостью применения ускорителя заряженных частиц или лазеров для управления работой размыкателя тока, наряду с низкими параметрами отключаемых токов и выдерживаемых напряжений, практически исключают возможность его использования в мощной импульсной технике.

Метод токовой инжекции заряда для резкого обрыва обратного тока в полупроводниковых диодах был основан в 50-е годы, когда интенсивно развивались работы по созданию быстродействующих импульсных диодов. Диоды с эффектом резкого обрыва тока получили название диодов с накоплением заряда (ДНЗ) [12]. Принцип работы ДНЗ основан на существовании встроенного тормозящего поля в базе диффузионного диода, образованного градиентом концентраций донорных атомов. На стадии накопления заряда прямым током встроенное электрическое поле, направленное из «-базы в р-область, препятствует распространению инжектируемых дырок в глубь базы и удерживает заряд вблизи р-п - перехода. За счет этого при прохождении обратного тока практически весь накопленный заряд успевает выйти из базы диода на стадии высокой обратной проводимости. Малая величина остаточного заряда в базе к моменту образования объемного заряда у р-п — перехода приводит к резкому обрыву обратного тока за время 10"9 - 10"10 с. Работа диода в режиме ДНЗ возможна только при низком уровне инжекции и при высоком уровне легирования базы донорной примесью. Переход к сильноточному режиму работы (высокий и сверхвысокий уровень инжекции), а также снижение уровня легирования и-базы для увеличения обратного напряжения диода приводит к исчезновению встроенного электрического поля и эффекта резкого обрьша тока. В связи с чем характерные для ДНЗ со встроенным полем величины рабочих токов составляют 10 - 100 мА, обратных напряжений-10-50 В.

В начале 80-х годов профессором И.В. Греховым был предложен и реализован сильноточный режим работы р - п - п структуры с плотностью обрываемого тока до 200 А/см2, временем обрьша тока около 2 не и рабочим напряжением 1 кВ [13]. Такие дио-

ды получили название дрейфовых диодов с резким восстановлением (ДДРВ) [14, 15]. Принцип работы ДДРВ состоит в следующем. За счет короткой длительности импульса прямого тока (сотни наносекунд) в базе диода происходит резко неоднородное распределение плазмы и возле р-п — перехода создается тонкий слой инжектированной плазмы, в котором сосредоточена основная часть накопленного заряда. При протекании тока обратной накачки происходит рассасывание плазменного слоя у р-п — перехода с одновременным дрейфовым выносом дырок из основной части базы. Подбором параметров структуры (длина базы и уровень легирования) и режима накачки (длительность и плотность тока) достигается условие, когда к моменту удаления из структуры всех неравновесных носителей плотность дрейфового тока достигает максимального значения для данного уровня легирования базы. При вьшолнении этого условия процесс обрыва обратного тока представляет собой удаление из базы равновесных носителей с максимально возможностью скоростью насыщения порядка 107 см/с. В связи с этим ДДРВ имеет ограничение по плотности тока через структуру. Для получения обратных напряжений на структуре около 1 - 2 кВ уровень донорной примеси в базе не может превышать 10й см"3, что на стадии отключения соответствует максимальной плотности тока около 160 - 200 А/см2. Однако путем увеличения площади структуры и создания сборок из последовательных соединенных структур возможно увеличение рабочих параметров прерывателя по току и напряжению. Рекордные для ДДРВ параметры получены в работе [16], в которой с помощью последовательно соединенных ДДРВ формируются импульсы с амплитудой 80 кВ, током 800 А и частотой следования импульсов 1 кГц.

В работе [17] сообщается о разработке нового полупроводникового прерывателя тока, принцип работы которого основан на инверсном механизме восстановления диода. Специальная структура диода позволяет увеличить длительность прямой накачки, а также поднять плотность обрьшаемого тока. Однако работа такого диода также основана на принципе удаления избыточной плазмы из базы на стадии высокой обратной проводимо-

сти. На основе такого диода разработан генератор с напряжением 30 кВ, током 600 А и частотой следования импульсов 1 кГц. В работе [18] представлен более мощный генератор, формирующий на нагрузке в десятки Ом импульсы напряжения в десятки кВ.

Таким образом, вышеописанные методы обрыва тока в полупроводниках характеризуются относительно скромными достигнутыми параметрами по импульсной мощности (десятки МВт), току (сотни А) и напряжению (десятки кВ), которые недостаточны для многих приложений мощной импульсной техники.

Ситуация в области мощной полупроводниковой электроники изменилась кардинальным образом, когда в 1992 году в Институте электрофизики УрО РАН был обнаружен эффект наносекундного обрыва сверхплотных токов в полупроводниках (SOS-эффект) [19]. Было показано, что эффект наблюдается в р - р - п - п - структурах при времени накачки порядка 10"8 — 10"6 с и плотности обратного тока до 60 кА/см2, а время обрыва тока при этих условиях лежит в диапазоне от десятых долей до единиц наносекунд. Очевидно, что применение данного эффекта для разработки мощных твердотельных прерывателей тока и генераторов на их основе представляет собой актуальную научно-техническую задачу.

Взято отсюда
Единственно что по нашей теме оборвать дугу в разряднике ... но это уже не в эту ветку.

[Ganzha]

Как там НикельВаск? что-то его не видно больше, обещал зарядку сотки от Качера!
И вообще - вначале он как-то у всех спрашивал - как правильно качер сделать а потом как выдал - выдал - мол бред что менше 5 см ВВ не работает - надо внутр катушку индуктора вставить - и как это она за несколко дней так продвинулся?

[DDR]

Пробовал катушку индуктор для ВВ запихивать внутрь.. интересно так работает..
В общем мотаем проводом 0,8мм витков 20 с один слой на оправке диаметром 100мм, потом проклеиваем ее, и снимаем с оправки.. после сжимаем ее в виде цифры 0, затем перегибаем по длинной стороне пополам... что-то типа как в отклоняющей системе.. и в сложенном в четверо виде запихиваем внутрь ВВ катушки снизу.. ВВ катушка диаметром 2 дюйма. Интересные импульсы получаются на вид на коллекторе..

По поводу СОС диодов.. тут я вижу некоторая заинтересованность наблюдается наконец-то.. Вот схема и некоторое описание этой схемы..
Начну издалека..

В зарубежных публикациях приводятся данные о том, что при длительности импульса менее 10 нс воздействие на кристаллические смесители и детекторы зависит от полной энергии СВЧ-излучения. Энергия 0,1…1 мкДж вызывает выгорание п\п приборов, используемых в диапазоне частот 1…10 ГГц. Для п/п приборов, используемых на более высоких частотах, уровни выгорания лежат в пределах 0,01…0,1 мкДж. При длительности импульса более 10 нс выход из строя приборов определяется приложенной пиковой мощностью: на частотах ниже 10 ГГц она превышает 5 Вт, а на частотах выше 10 ГГц – 0,5 Вт.
Согласно модели выгорания p-n-переходов п/п приборов при воздействии СВЧ-импульсов, которую предложили Wunch и Bell, критериальный уровень прямо пропорционален корню квадратному из длительности импульса. Эта модель хорошо согласуется с экспериментальными данными для диодов и транзисторов при воздействии импульсов длительностью 0,1…100 мкс. Для импульсов длительностью менее 100 нс критериальный уровень обратно пропорционален количеству поглощенной энергии.Минимальные уровни имеют СВЧ-диоды, работающие во входных трактах преобразования частоты, а максимальные уровни – мощные транзисторы, включаемые в цепи питания. Экспериментально установлено, что среди интегральных микросхем (ИМС) малого и среднего уровней интеграции наименьшие критериальные уровни поражения у ИМС с планарными выводами и ИМС с барьером Шоттки. Еще более уязвимы большие интегральные схемы (БИС), имеющие значительное число элементов на одном кристалле и весьма малые размеры отдельных p-n – и МОП-переходов, а также токоведущих линий.

По поводу данной преамбулы.. Эта тема меня интересовала еще ранее, точка приложения - нелинейные локаторы, применяемые для контроля наличия полупроводников в обследуемой ближней зоне, и дистанционное выведение их из строя.. Так же и тех же ГИБДДшных скоростомеров любых модификаций.. Такой себе активный подавитель, после которого из радара легкий дымок исходит

Столкнулся я с тем что данное направление до сих пор находится в разряде секретных технологий..люди работавшие с такой аппаратурой, до сих пор неразговорчивы по этим темам.. Все что удалось нарыть из практического, это вот ниже публикуемая схема.. Возможно диод 3А530А выглядит не так страшно как его описывают, и валяется на балконах и в гаражах ныне спившихся бомжеватого вида товарищей, ранее работавших в ПЯ, и тащивших домой при возможности все что плохо лежит.. Думаю что совок не дошел до того чтоб СОС диоды маркировать изотопами... И возможно зная как оно выглядит - можно будет на барахолке нарыть нечто подобное..

Хотя его можно купить и в инете, цена около 4$ за штуку.. обзывают в основном это дело как импульсный диод..http://kvazar97.com.ua/diodes/

Ну а теперь описание к схеме..:

Представлен генератор видеоимпульсов наносекундной длительности, амплитудой от 40 до 300 В (в зависимости от типа используемого лавинного диода). Предложен в качестве ключевого элемента генератора лавинный GaAs диод (S-диод). Отличительной особенностью ДПИЛ является наличие в обратной ветви вольт-амперной характеристики участка отрицательного дифференциального сопротивления S-типа, разделяющего два устойчивых состояния: высокоомное с R~10 *9 Ом и проводящее с R~10 Ом.

Переключение ДПИЛ из одного состояния в другое происходит при достижении напряжения смещения выше порогового U=Uп, где Uп-напряжение переключения в проводящее состояние, достаточного для формирования лавинного пробоя... При переходе S-диода из "закрытого" состояния в "открытое" формируется мощный импульс тока до 15 А на согласованной нагрузке.

Известны ДПИЛ, которые позволяют получать видеоимпульсы с фронтом нарастания 0,1- 2 нс, при напряжениях включения 40...900 В и с частотами работы до 200 кГц. Благодаря низкому внутреннему сопротивлению в момент пробоя ДПИЛ, имеется возможность получать высокий КПД (реально 60-80%).

Структурная схема генератора наносекундных видеоимпульсов с амплитудой от 80 до 320 В и длительностью переднего фронта до 0,5 нс на основе серийно выпускаемого S-диода 3Д530А представлена на рисунке .

Схема формирования импульса запуска предназначена для выработки управляющего напряжения ключевого каскада. На выходе трансформаторного ключевого каскада формируется импульс с фронтом 50 нс и амплитудой напряжения, достаточной для включения S-диода.В момент включения S-диода на выходе схемы формируется импульс с длительностью переднего фронта 0,5 нс и амплитудой равной Uп.

В то же время по фронту мощного импульса за счет обеспечения индуктивной связи между цепью S-диода и схемой формирования синхроимпульса формируется импульс амплитудой 5В и длительностью 10-100нс.
Для ускорения процесса восстановления высокого сопротивления S-диода на него подается отрицательное смещение. Питание генератора осуществляется от трех источников напряжений +5В, +25В и -25В. Потребляемая мощность генератора при частоте повторения 100 кГц составляет не более 5 Вт.

Мощность  зависит от сопротивления нагрузки:
При нагрузке 12,5 ом длительность импульса 2нс, амплитуда выходного импульса 40в, пиковая мощность 130Вт;
При нагрузке 25ом - 4нс, 87 вольт, 300Вт;
При нагрузке 37ом -4нс, 99 вольт, 260Вт;
При нагрузке 50 ом - 4нс, 80 вольт, 130Вт.

На рисунке 1 показана принципиальная схема генератора. Схема формирования по длительности импульса запуска выполнена на быстродействующей микросхеме DD1. Для изготовления импульсного трансформатор Т1 ключевого каскада использован ферритовый тороидальный сердечник 100ВЧ К16х8х6 ГОСТ 17141-76.
Первичная обмотка содержит 1 виток провода, а вторичная обмотка состоит из 80..100 витков в зависимости от требуемой величины напряжения запуска. Синхроимпульс на затворе транзистора VT2 формируется в момент резкого изменения величины тока, поступающего в нагрузку.

Выход генератора должен быть согласован с симметричной нагрузкой с волновым сопротивление 25 Ом.
Стабилизация амплитуды формируемых импульсов на выходе S-диода достигается подачей отрицательного смещения амплитудой 25 В, для более быстрого восстановления высокого сопротивления диода. При использовании схемы отрицательного смещения амплитуда формируемых импульсов изменяется не более 10%.

Такие генераторы могут найти широкое практическое применение и в других областях, например в качестве устройств запуска для мощных тиратронов и разрядников, для накачки полупроводниковых лазеров, для систем широкополосной радиолокации и ультразвуковой локации.

Так что я НЕ ВИЖУ ничего, что говорило бы о том что данные диоды являются размыкателями тока!
Наоборот все описание говорит о том что это элемент формирующий сверх короткий импульс тока, с очень хорошей крутизной.. Именно то что нужно для накачки индуктора к ВВ катушке качера..
А тем более диапазон повторения импульсов может быть установлен в пределах 20-100кГц, определяется генератором на логике, мы можем использовать НС4046, для введения обратной связи по фазе (ФАПЧ),  и будет у нас субнаносекундный качер как и положено.. частоту соответственно импульсов выбирать кратно частоте резонанса ВВ катушки..

Хоть тут маг и прыгал что мол нельзя ее расчитать.. - все можно.. идеально в четыре раза ниже брать..

Прикрепленные файлы

•  ris2.jpg   34,03К   323 Количество загрузок:
•  ris1.jpg   38,31К   270 Количество загрузок:

Сообщение отредактировал DDR: 13 Август 2010 - 12:23

[Preva]

Подскажите оптимальные соотношения длины (высоты) намотки катушки к диаметру! А так же как правильно изготовить (рассчитать) количество витков индуктора, их (витков) диаметр и место расположния на катушке. Вопрос для максимально мощного стримера.
Спасибо!

[vollov akustik]

DDR (13 Август 2010 - 12:12) писал:

Именно то что нужно для накачки индуктора к ВВ катушке качера..
А тем более диапазон повторения импульсов может быть установлен в пределах 20-100кГц, определяется генератором на логике, мы можем использовать НС4046, для введения обратной связи по фазе (ФАПЧ),  и будет у нас субнаносекундный качер как и положено.. частоту соответственно импульсов выбирать кратно частоте резонанса ВВ катушки..

Хоть тут маг и прыгал что мол нельзя ее расчитать.. - все можно.. идеально в четыре раза ниже брать.. [/font][/size][/font]

Действительно тема очень нужная для совместного продвижения.
С этим всем надо еще разбираться, выкачал белкина_шульженко и углубился в них.
Нечто похожее видать в качере творится в его обратносмещенном пн переходе.
Лавинный пробой вероятно.
Самое интересное это вот что:
Все прям посылают кононы одновиткового индуктора на фиг.
Ни кого не колышет L его.
Однако лучшие энергетические показатели именно с одновитковым либо плоским либо литцендатным индуктором у которого сопротивлениев в районе 0 и там же индуктивность.
Вот почему нужен токовый импульс (импульсный источник тока) как можно более высокой энергии.
ГТБМ таковым и является.
К этому ТБМ два пожелания:
1) умощнить его работу до работы от 300 вольт на виток индуктора.
2) проредить импульсы - оставить импульс в каждом пятом-десятом периоде.
Это возможно комутируя напряжение питания.

По поводу SOS эфекта он и в качере живет и здравствует и без всяких трех источников питания.
Добить бы МОНСТРА на вольт 300.
И будет уже с чем работать дальше.
Схемы Diavena на IGBT ценою в 300УЕ и то не на виток а на много.
Хотелось бы на биполяре хоть и на нескольких в параллель(SOS транзистор) получить те же "яйца".

[DDR]

Сомневаюсь что арсенид-галиевый диод можно заменить парой транзисторов с блока питания телека..
Много ли схем СВЧ передачтиков на низкочастотных транзюках? то-то же..
Разве что светодиоды можно как то под это дело попробовать..

[BluZeMen]

DDR , не могли бы вы выложить осцилограммы? Интересно бы посмотреть.