Papuas (26 Сентябрь 2013 - 20:15) писал:
В связи с такой вопиющей безграмотностью, начинаем платное обучение Бровина. Начальная затравка бесплатна – последующие ответы на вопросы и уточнения платны.
На сегодня тема
“Заряд-разряд емкости полупроводника через резистор”.
Берем генератор программируемых сигналов и выставляем на выходе кабеля импульс 200нс амплитудой к примеру +9.2В и через сопротивление 300 Ом подаем на тестируемый диод.
Проверяем, используя диод КД521В для анализа влияния импеданса щупов и схемы:
C_KD521B.gif 13,89К
45 Количество загрузок:
Далее будем смотреть реакцию заряда-разряда диффузионных емкостей перехода Б-Э транзистора КТ315В.
Смотрим влияние времени разряда диода после загрузки прямым током диода Б-Э при импульсе 400,200,100,50,25нс током 28мА:
400_200_100_50_25ns_300Om.gif 19,54К
52 Количество загрузок:
Падение на отрытом переходе в момент импульса составляет около 832мВ, при этом ток через резистор 300 Ом от генератора 28 мА. Среднее напряжения сразу после импульса на переходе около 730 мВ -> начальный разрядный ток 0.730/300 = 2.4 мА.
Увеличение импульса более 400нс при 28мА практически не увеличивает время разряда емкости перехода и разряд* имеет отличную функцию от разряда классической емкости – это и говорит о её максимальном цикле существования зависящей от времени рассеивания не “зарядов” или "дырок", а нагретого канала в транзисторе.
* Максимальный выход заряда диффузионной емкости при нормальных условиях с транзистора КТ315В составляет примерно 600нс среднего напряжения 0.65В при среднем токе разряда в 1.5 мА (нагрузка 430 Ом).
Пробуем менять ток заряда, оставив длительность импульса 200 нс:
29_13_7_4_2mA_P200_R300.gif 17,02К
41 Количество загрузок:
Примерно аналогичная картина. Переход Б-К у КТ315В имеет очень схожие параметры.
Псё - Далее платно.
17
))) ?
Коллективное бессознательное это давно знает. Дядька немного не туда клонит с выводами оперируя квадратом потенциалов... Коллективное бессознательное скоро поправит.
