Brovin (05 Октябрь 2013 - 10:04) писал:
По второму вопросу врете вы все - ничего у вас не совпадает.
Давайте возьмем справочник, да и емкость у IRF510 я измерял и часть есть в его PDF (среднюю емкость в интервале 0..88В согласно данным примем за 120пФ). Катуха 50 витков на диаметре 38мм проводком 0.56мм (
есть на предыдущих фотках в синей изоленте и там на ней это писано) по справочнику “Coil32” выходит:
Расчет индуктивностей
— Многослойная катушка
Индуктивность катушки 110 мкГн
Диаметр каркаса D: 38 мм
Длина намотки l: 4 мм
Диаметр провода d: 0,56 мм
=>Толщина катушки c: 5,298 мм
=>Сопротивление катушки 0,449 Ом
=>Нужная длина провода 6,422 м
=>Число витков катушки: 50,68
На последней осцилле,
выданной для сравнения с синусом, наблюдаем полуволну искаженного синуса длительностью к основанию около 360 нс. Значит полный период, если переводить в синус около 720нс что есть что-то типа 1.4МГц.
Справочник нам говорит:
Расчет контура
Индуктивность контура: 110 мкГн
Частота контура: 1400 кГц
=>Емкость контура: 117,487 пФ
Псё совпадает с 5% точностью.
Блин - совсем забыл, в симуляторе амплитуда данного выброса больше по напряжению примерно в полтора раза, но про это я уже описывал (не учтены волновые сопротивления и кривенькие модельки - немного корректируется для простоты резистором параллельно катушке или в её параметрах, но надо и ковырять модель транзистора - там нет правильной симуляции заряда диффузионной емкости обратного диода - она там криво писана, но есть)...
Brovin (05 Октябрь 2013 - 10:04) писал:
Придется мне вам помочь вот цитата и адрес
http://jstonline.narod.ru/eltehonline/elteh_a0/elteh_a0b0/elteh_a0b0d.htm Барьерная (или зарядная) емкость обусловлена нескомпенсированным зарядом ионизированных атомов примеси, сосредоточенными по обе стороны от границы перехода. Эти объемные заряды неподвижны и не участвуют в процессе протекания тока. Они и создают электрическое поле перехода. При увеличении обратного напряжения область пространственного заряда и сам заряд увеличиваются, причем это увеличение происходит непропорционально."непропорционально" - с ростом обратного напряжения емкость падает (
уменьшается). Измеритель в руки и крутить.
Подойдет любой измеритель емкости на диапазон от 5 до 1000пФ. На диод подаете обратное напряжение через резистор в мегом, а измеритель включаете через конденсатор к примеру в 1мкФ...
Лично для Бровина: По Вашей ссылке смотрим на график "вольт – фарадной характеристикой перехода":

И получаем:
Pic16.gif 3,64К
10 Количество загрузок:
В Вашей статье по ссылке неточность "не участвуют в процессе протекания тока" - имели в виду, что диод закрыт и через него ток не течет. Формула дана кривенькая, правильная эта:
Ccцылка и видим - в знаменателе обратное напряжение!

А Вам же уже говорил - в Вашем патенте одни ошибки когда там идет речь о зарядах и дырках в полупроводниках (конкретно всё переставлено с ног на голову), но Вам его выдали - гордитесь образованием патентовщиков.
Впрочем это Вам знать не надо, а про кривые синусы писалось например для Gen-а, а то он думает от куда там гармоники... Чебурашки потому-что живут в диодах.
Про “кивки” Вам описать? Ну значит жила была молекла или атом. Она круглая была как рисуют. Ну вот раскрутили её и она вертится, как шарик в космосЕ. Тут вокруг неё бац и поселилась злая индукция электрической потенции. Шарик-атом испугался и начал ворчать – куда мене поворачиваться? Индукция говорит – туда. Он повернулся (по Бровину значит “кивнул”). Всё равно он шарик и нетути у него попки и глазок, и никто его ось вращения не трогал и не держал за один хвост, как на демонстрациях момента морэ и прочих прецессий. Так были придуманы магнитные моменто-море у атомов – без рукоприкладства к хвосту (т.е. оси вращения) их нет и не было, да при энтом поговаривают, что атом заряжен, тьфу - имеет эл. поле, со всея сторон одинаково. Имеет он так и дырки и другие ионы. Как-то без гравиташки кусающей за хвост атом тут не обойтись… Подумайте над этим тов.Бровин, да пополните сказку новыми героями для друзей из Одессы.