Brovin (21 Сентябрь 2013 - 11:01) писал:
Давайте все снова и по порядку. Импульс в 20В действует через диод. Слева короткий импульс справа длинный. Все по классике. Удивляет послеимпульсное напряжение на аноде диода. Оно в трое длиннее импульса.
Что удивительного в заряде и разряде диффузионной емкости перехода полупроводника? Прямым током она заряжается, а далее разряжается при переходе тока с индуктивности в обратное направление. Диффузионная емкость у полупроводников обычно значительно больше барьерной. После разряда индукцией от катушки диффузионной емкости следует заряд барьерной емкости. При этом барьерная емкость уменьшается с ростом обратного напряжения на диоде. Время, так называемое рассасыванием диффузионной емкости, строго зависит от теплоотдачи нагретого прямым током канала в полупроводнике. Это является одним из ограничивающих фактов времени её существования. Второй значимый на это явление процесс – ток разряда этой емкости.
Постарался описать в Ваших терминах.
Демонстрация проявления (поведение) описанных емкостей у диодов 1N4001:
1N4001_50kHz.gif 30,34К
32 Количество загрузок:
Тут через резистор по очереди заряжаем диоды разными длительностями прямого тока и разряжаем путем прикладывания обратного напряжения через тот-же резистор. Наглядно представленны зависимости от времени протекания прямого тока заряжающего диффузионные емкости перехода. Функция "обрыва тока" разряда диффузионных емкостей не является резистивно-емкостной, что и говорит о других, уже описанных мной и другими факторах.
Из-за данных совокупностей, связанной в основном с временем удержания заряда в полупроводнике, для транзистора применяемого в Качере приходится подбирать оптимальную индуктивность и это время ограничивает его частотный диапазон.
Или Вас интересует поведение индуктивности в разных сменяемых ситуациях? Или глубже и описать как влияет сила тока на время разряда диффузионной емкости? (Он аналогично создает ещё "якобы емкости", но весь процесс работает строго по теории термопар образованных на примесях в полупроводнике и от этого при описании и расчетах данных процессов используют понятие "плазмы" и всё что связано с теплопередачей в областях полупроводника для создания спец элементов на этих эффектах. И литературу
по этому я и другие уже указывали. С практической точки применения этих эффектов с индуктивностями, для выработки резких фронтов и импульсов обрыва тока задолго до "Качера" было создано масса устройств и их КПД находится на уровне 40% от вкачиваемой мощности в схему к полученной на выходе. Остальное уходит на нагрев трансформатора и полупроводника и прочие потери.)
Диодные размыкатели тока с субнаносекундным быстродействием на основе 4H-SiC
Там и дана на "Рис. 2. Осциллограмма напряжения на одном из диодов во время пропускания квазипостоянного прямого тока и последующего его отклонения."
alexkor (21 Сентябрь 2013 - 10:08) писал:
Разбираем Ваш постик. Таак. Вот что получается.
Разбираем Ваши постики... Угу - отличительные признаки тролля наяву: развод холивара, обвинения других в троллизме, масса коротких соо для замусоривания темы, нуль пояснений и увод от технических разборов описываемых участниками тем. Помочь Вам ещё в замусоривании?

Со смарта не справиться - восстановленный качерным радиантом аккум садится?
Форумы созданы для общения людьми по темам и эти темы обычно указываются в заголовке. Тут не сбор подписей “благодарю” и прочих опросов “за” и “против” – для этого люди придумали блоги и прочие системы сбора и голосования. Выражение смен подросткового настроения и перелома других детских инстинктов производят на созданных для этого сайтах типа “В контакте” или “Однокласники”... Там много таких-же со смартами и Вам тама будет веселее. Возможно Вам понравится поучаствовать и в близкой теме с такими-же на сайте сранников или офтопе.ру... Воспримите это как рекомендацию, а повеселиться мы и тут всегда рады помочь на Вашем языке, прикинувшись троллями и другими зверюшками, если это требуют оппоненты и другого языка не понимают...