Nicko (10 Декабрь 2011 - 05:18) писал:
Это все классика в вакууме и к тому-же за счет источника.
У нас противоположный случай источник за счет эффектов в твердом теле...
В твердом теле (в п/п) тоже может быть подобная картина например в диоде Ганна вот так объясняют образование генерации
Опыт Ганна
Рассмотрим образец длиной L, к которому приложено внешнее напряжение. В однородном полупроводнике электрическое поле примерно одинаково по всей длине образца. Но если в образце имеется локальная неоднородность с повышенным сопротивлением, то напряжённость поля в этом месте образца будет выше, следовательно при увеличении напряжённости внешнего поля критическое значение возникнет в первую очередь в этом сечении. Это означает накопление в этой области (а не во всем кристалле) тяжёлых электронов и снижение их подвижности, а значит и повышение сопротивления в этой области. Образовавшаяся зона с высоким содержанием тяжёлых электронов называется электрическим доменом.
Под действием приложенного поля домен начинает перемещаться вдоль образца со скоростью V ~ 10в6 м/с. Слева и справа от электронного домена будут двигаться лёгкие электроны с более высокой скоростью, чем тяжёлые. Слева они будут нагонять домен и образовывать область повышенной концентрации электронов (область отрицательного заряда), а справа лёгкие электроны будут уходить вперёд, образуя область, обеднённую электронами (область положительного заряда). При неизменном напряжении установится динамическое равновесие между скоростями электронов внутри и вне домена. При достижении доменом конца образца (анода), домен разрушается, ток возрастает, происходит образование нового домена, и процесс повторяется заново.
Несмотря на то, что в кристалле может быть несколько неоднородностей, всегда существует только один домен. Так как после исчезновения электрического домена новый домен может возникнуть на другой неоднородности, для наблюдения и использования эффекта Ганна нужны очень чистые и однородные образцы.
Очевидной областью применения эффекта Ганна является изготовление микроволновых генераторов, называемых диодами Ганна. Если длина образца составляет 10 мкм, а скорость домена см/с, то частота осцилляций имеет величину порядка:
Гц = 10 ГГц.
Это была выдержка из
http://ru.wikipedia.org/wiki/Эффект_Ганна#.D0.9E.D0.BF.D1.8B.D1.82_.D0.93.D0.B0.D0.BD.D0.BD.D0.B0
Если в твердом теле "Тяжелые" заряды могут двигаться со скоростью 1000 км/с, что в 1000 раз медленнее скорости света, а в вакууме скорость движения зарядов в 10 раз медленнее, то в воздухе заряды могут двигаться со сравнимыми скоростями, достаточными для получения эффекта ЛБВ или магнетрона. Да и Смит как то говорил, что "это и есть магнитрон" (правда в переводе).
Я конструктивный человек, если будет другая версия, объясняющая усиление коэффициента передачи (число витков вторички к числу витков первички - обычный коэффициент трансформации при ЭМ индукции в ТТ не работает, реально получается напряжение на вторичке больше, чеи при трансформаторе)
Это теория реально объясняет получение высокого напряжения на вторичке, НО!!! Я не могу пока понять обратный эффект, когда Тесла или Смит используя один индуктор применяли несколько вторичек (одинаковых), а дальше они шли разными путями: Смит снимал ВВ резонанс с каждой вторички, а тесла использовал такой же индуктор для съема через разрядник